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Kerf
Blade에 의해 Wafer가 잘리면서 생긴 자국
Kerf Loss
Wafer 절단시 Kerf로 발생하는 손실로서 톱밥의 두께에 의해 그 양이 결정된다.
Diborane
실리콘 도핑에서 브론의 원료로 쓰이는 가스.
Positive Resist, 양성 PR
빛을 안받은 부분은 남기고, 빛을 받은 부분은 형상에서 제거되는 PR. 마스크의 양화가 현상 공정에서 형성된다. AZ-1350이 양성 PR이다.
P/N Junction, P/N접합
결정내에서 주로 정공으로 전도하는 P지역과 주로 전자로 전도하는 N지역과의 접면.
Bwam lead
반도체 칩 가장자리 바깥의 보통 금으로 만든 적층 금속리드. 칩의 기계적, 전기적 콘텍트를 형성하는 데 쓰인다.
Develop
정렬(align) 및 노광(exposure) 후 현상액을 이용하여 필요한 곳과 필요 없는 부분을 구분하여 상을 형성하기 위해 일정 부위의 PR을 제거하는 것.