E-Pro Link E-Sales Link

HOME > 제품소개 > 전문용어사전

| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
Reactor
반도체 공정에 쓰이는 물질을 적층하는 장치. 보통 에피 반응기. Vapox 반응기. 질화막 반응기가 있다.
Doping
반도체의 전도 형태를 바꿔 주기 위해 P형 또는 N형의 불순물을 확산이나 Ion Implantation에 의해서 주입하는 것을 말하며, 이때 주입되는 불순물을 Dopant라고 한다.
Integrated circuits
IC. 집적회로. 반도체로 된 하나의 칩에 몇 개에서 수천 개의 소자로 구성된 전기회로.
Silicon Nitride(Si₃N₄)
600℃-900℃의 온도에서 웨이퍼에 화학적으로 적층되는 보호막. 이는 소자를 오염으로부터 보호한다.
Inspection
웨이퍼의 이상 유무를 현미경이나 육안으로 검사하는 공정.
Photoresist, PR
웨이퍼에 칠해서 마스크를 통해 강도 높은 빛에 노출시키는 감광막. 노출된 PR은 어떤 지역을 에치하도록 PR패턴을 현상공정에서 남긴다.