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Wafer
집적 회로를 만들기 위해 반도체 물질의 단결점을 성장시킨 기둥모양의 Ingot를 얇게 잘라서 원판모양으로 만든 것을 말한다.
Wafer Fab
웨이퍼 위 혹은 안에 회로나 소자가 만들어지는 조작.
Wafer Sort
집적 회로가 동작하는지를 보는 테스트 스텝. 프로브(Probe)를 회로의 패드에 대고, 전기 신호를 걸어 올바른 것이 나오는가를 봄으로써 측정한다.
Wafer Etch
반도체 제조공정에 있어 Wafer의 어떠한 표면층을 식각하고자 할 때 화공 약품(액체, 기체)를 이용하여 식각하는 방법.
Wire Bonding
Chip상의 Bonding Pad와 L/F의 Inner lead tip을 금세선 (혹은 알루미늄세선)으로 접합시켜주는 과정. Thermo Compression Bonding(열압착 Bonding), Thermosonic Bonding(저온열압착 Bonding), Ultrasonic Bonding(초음파 Bonding)등의 방법이 있고 세선의 굵기는 25㎛-50㎛정도. Capillary(Au ball Bonding), Wedge(Al Wedge Bonding) 등의 Tool을 사용한다.
Dry Oxide
산소를 써서 키운 실리콘 열 산화막.
DI Water
De-ionized Water. 물 속에 녹아 있는 무기이온을 제거하여 세척에 사용하는 탈이온수.
Pad
Lead Frame과 wire를 연결할 수 있도록 소자 내에 금속의 넓은 공간을 말한다.
Sulfuric Acid(H₂SO₄)
실리콘 웨이퍼를 세척하고 PR을 제거하는 강산.
Schottky Barrier
어떤 물질과 반도체 사이에 형성된 전위장벽. P/N접합 정류기의 전하 주입으로 인한 속도 감소 요소를 제외한 정류기로서의 높고 두꺼운 장벽을 가리킨다.